MRFG35003ANT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized
from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
Customer Premise Equipment (CPE) applications.
?
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD
= 12 Volts, I
DQ
=
55 mA, Pout
= 300 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain ? 10.8 dB
Drain Efficiency ? 24.5%
ACPR @ 5 MHz Offset ? -43 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
?
3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
RoHS Compliant
?
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
29
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
15.9
°C/W
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRFG35003AN
Rev. 2, 6/2009
Freescale Semiconductor
Technical Data
MRFG35003ANT1
3.5 GHz, 3 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2007-2009. All rights reserved.
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